一纸公告！英诺赛科股价起飞，年内股价已翻倍
12月5日，在今日港股半导体板块普遍走弱的市况之下，上市不足半年的英诺赛科（02577.HK）迎来爆拉。
早盘开盘后，英诺赛科股价扶摇直上，一度涨近8%，至83.15港元/股，创10月30日以来新高。
截至发稿前，该股涨7.27%，报82.6港元/股，年初至今累计涨幅为164%，该涨幅仅次于华虹半导体（01347.HK）年内累计涨幅的250%，位居港股半导体板块涨幅榜次席。
今日该股大幅异动，或源于一则重磅喜讯。
英诺赛科公告宣布，于2025年12月3日，公司与安森美半导体（ON.US）达成战略合作协议，将采用英诺赛科成熟的8英寸硅基氮化镓工艺，共同推进氮化镓产业的应用和布局。
公告显示，此次合作，将通过晶圆采购等方式开展合作，整合英诺赛科在氮化镓制造方面的先进能力，及安森美半导体在系统封装与集成领域的经验和优势，加速推动氮化镓在新能源汽车、人工智能、数据中心及工业等重要领域的快速落地。
英诺赛科表示，此次合作，有望在未来数年为公司带来数亿美元的氮化镓销售，并为双方上述领域的市场开拓布局带来先机。
此外，在昨日的另一则公告中，英诺赛科表示，与英飞凌的诉讼案中取得胜利。公告显示，美国东部时间2025年12月2日，针对英飞凌对英诺赛科发起的337调查案件，美国国际贸易委员会(ITC)发布裁决结果：在涉案的两项专利中，ITC裁定其中一项专利英诺赛科完全不侵权，另一项专利英诺赛科的规避设计方案(当前产品正在使用的设计方案)完全不侵权。
英诺赛科表示，此次ITC的裁决进一步明确了英诺赛科相关知识产权状态，并将为其在未来的全球化发展扫清障碍。公司将持续尊重与保护知识产权，并致力于为全球客户提供卓越的硅基氮化镓功率解决方案。
近年来，随着全球人工智能竞赛白热化、算力需求激增，由此带来的数据中心能耗问题日益凸显，高性能GPU的电源管理成为关键瓶颈。
据悉，传统硅基功率器件在效率上已接近物理极限，而第三代半导体具备独特的物理特性，比如氮化镓和碳化硅具有更高的能量转换效率，可以在更高的电压下工作，可以提升数据中心的能效比、散热管理和系统可靠性。
在此背景下，氮化镓功率半导体行业站上AI的“超级风口”，迎来前所未有的发展机遇。
据弗若斯特沙利文数据显示，用于数据中心的氮化镓功率半导体全球市场预计将由2024年的1.36亿元增加至2028年的14.62亿元，复合年增长率高达81.0%。
此外，电动汽车、光伏发电、人形机器人等领域前景广阔，也正驱动氮化镓功率半导体市场加速增长。
而作为一家全栈氮化镓供应商及领先的氮化镓IDM企业，英诺赛科是唯一实现1200V-15V氮化镓功率器件量产的公司，可提供从800V到1V的全链路解决方案。年内与英伟达等国际巨头达成合作，亦是推高其业绩及股价最重要的驱动因素之一。
财报显示，2025年上半年，英诺赛科实现收入5.53亿元（单位人民币，下同），同比增长43.43%；毛利率由去年同期的-21.6%大幅提升至6.8%，实现毛利转正；归母净亏损约4.29亿元，但较上年同期已收窄12.2%。
英诺赛科强调，期内，公司在AI及数据中心、人形机器人、新能源汽车等高端应用领域取得重大突破。其中，面向AI及数据中心的销售同比增长180%；车规级芯片交付同比增长128%；全球首次实现搭载氮化镓芯片的机器人量产出货。
综上所述，氮化镓功率半导体在数据中心、电动汽车、人形机器人等关键领域展现出极为广阔的应用前景。英诺赛科凭借自身技术优势与行业机遇，有望乘势而上，推动整体业绩继续释放。